來源於:10年逆襲增長8倍!中國大陸先進製程自給率將達66%-pg電子51官網
發布時間:2026-08-27 20:18:55
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8月27日消息,年逆據高盛集團報告預測,襲增先進中國大陸7nm及以下先進製程晶圓的長倍開雲手機網頁登陸自給率,將從2025年的中國製程自8%迅速增長至2035年的66%。 高盛預計到2035年,大陸達中國對先進製程晶圓的年逆月需求量將達到61.9萬片,本土供應量有望提升至41萬片。襲增先進 在2025至2035年間,長倍中國7nm及以下先進製程晶圓供應量將以年均46%的中國製程自高速增長,遠超同期17%的大陸達開雲手機網頁登陸需求年均增速。其中生成式AI熱潮推動下,年逆用於AI服務器的襲增先進先進晶圓需求年均增速將達到42%。 中芯國際將成為這波產能擴張的長倍核心主力,高盛分析假設,中國製程自中芯國際在2026至2031年間每年新增月產能3萬至5萬片先進製程產能,大陸達2032至2035年間每年繼續追加月產能2萬片。 良率方麵,中芯國際先進製程晶圓良率預計將從2026年的23%提升至2030年的50%,並在2035年進一步達到75%。 高盛還將中國半導體產業2030年資本支出預測上調至820億美元,比一年前的預測值大幅調升79%,主要原因是生成式AI帶來的強勁需求以及半導體國產化進程的全麵推進。
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