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8月28日消息，英特優異在德意誌銀行2026年技術大會上，工藝英特爾首席財務官David Zinsner表示，表現kaiyun網頁登錄入口即將推出的明年Intel 14A製程擁有自22nm節點以來最優的“缺陷密度曲線”。

22nm是下半險試英特爾首個FinFET節點，以此作為參照，年風也折射出公司在先進製程上的英特優異曲折曆程——14nm首發欠佳，10nm遭遇重挫，工藝而22nm初期同樣良率低迷，表現kaiyun網頁登錄入口曾有內部員工透露首批Ivy Bridge芯片良率一度為零。明年

英特爾多次調整14A路線圖：2026年5月CEO陳立武給出的下半險試規劃是2028年風險試產、2029年量產，年風但在7月財報會議中，英特優異時間表提前至2027年下半年風險試產、工藝2028年全麵量產。表現

陳立武強調，14A在缺陷密度和晶體管性能上均超越18A同期水平。目前0.5版本PDK已向客戶開放，0.9版本預計2026年10月發布。技術方麵，14A將采用第二代RibbonFET、PowerDirect背部供電及ASML High-NA EUV光刻設備。

先進封裝領域，英特爾的EMIB-T技術預計2027年大規模量產。該技術通過在基板中嵌入矽橋實現高密度互連，新增矽通孔結構使ASIC可直接從基板取電，支持單封裝數千瓦級功耗。

博通、Meta等客戶正評估將原定台積電CoWoS方案的部分項目轉至EMIB平台；英特爾已為穀歌2027年AI芯片完成EMIB-T封裝驗證，良率達90%，且據稱EMIB-T相較CoWoS封裝成本差距最高可達50%。

為支撐代工業務，英特爾加速工廠建設：亞利桑那州Fab 62/52已就緒待安裝設備，俄勒岡州研發晶圓廠負責14A試產及後續量產，俄亥俄州一期工廠正全力建設，預計直接承擔14A量產任務。

英特爾預計，14A和EMIB-T將從2027年底為Intel Foundry打開市場，實質性營收貢獻將在2028—2029年顯現。