文章摘要：

8月28日消息，長鑫存儲中國DRAM製造商長鑫存儲（CXMT）已在其DRAM晶體管中導入高K金屬柵極（HKMG）技術。導入

這一材料和器件層麵的金屬技術a級節點開雲手機在線入口升級，有望緩解製程微縮帶來的柵極漏電難題，並為向更先進的推進1a級DRAM節點演進奠定基礎。

隨著DRAM器件尺寸持續縮小，長鑫存儲傳統二氧化矽絕緣層因厚度過薄而逐漸失效，導入電子可通過量子隧穿效應直接穿透，金屬技術a級節點引發漏電。柵極

為此，推進長鑫存儲采用氧化鉿等高介電常數（高K）材料替代傳統矽基絕緣層。長鑫存儲“K”值代表材料的導入電荷存儲和絕緣能力，氧化鉿的金屬技術a級節點開雲手機在線入口介電常數遠高於二氧化矽，能在相同電壓下容納更多電荷，柵極並在保持有效絕緣的推進同時支持器件進一步微縮。

HKMG方案的另一個關鍵變化，是以定製化金屬柵極堆疊取代傳統多晶矽柵極，從而消除“多晶矽耗盡效應”帶來的電學死區，提升器件效率。

對於DRAM陣列（每個存儲單元由一晶體管一電容組成）而言，這一改進尤為重要。實際效益上，HKMG技術不僅可抑製漏電及無效發熱，還能改善功耗、提升開關速度——金屬柵極的切換速度優於多晶矽，為DRAM實現更高數據傳輸性能提供了可能。

據市場消息，長鑫存儲正將該技術應用於G4代DRAM製程及LPDDR5X產品。業界認為其G4製程對應約1z級節點，HKMG的落地意味著公司正接近1a級節點。同時，長鑫存儲還在開發下一代15nm級G5製程，工藝路線持續加速。

在高帶寬內存（HBM）領域，長鑫存儲已利用18nm級G3製程進入HBM2E風險生產階段，基於G4製程的HBM3樣品也已開始提供。此外，其DDR6內存芯片已完成研發驗證，距離量產再近一步。

麵對長鑫存儲的快速推進，三星電子、SK海力士和美光等傳統DRAM巨頭正加緊布局更先進的D0a級亞10nm節點，並轉向3D DRAM和4F?存儲單元架構（通過垂直堆疊晶體管與電容，將單元麵積壓縮至最小特征尺寸平方的4倍），以保持技術領先。

除技術升級外，長鑫存儲也在大幅擴充產能。當前月產能約20萬片晶圓，目標年底前提升至30萬片/月，其中HBM產能預計約5萬片/月。公司在上海和合肥建設兩座新工廠，建成後總月產能有望達到60萬片。

據預測，長鑫存儲可能在2030年前後於產量上超越美光；2026至2031年間，月產能預計每年增加約10萬片，至2031年達80萬片/月，較2024年增長超5倍。